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388 哇,世界纪录又被我打破了呢(求订阅)(1/3)

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( ) 晚上,许秋回到寝室,看到室友孙一凡坐在桌子前打着个台灯,对着电脑搓炉石。

孙一凡招呼道:“许秋,回来啦,你看到辅导员发的名单了嘛,我们直博生没人权啊,居然都只有二奖,一奖都被硕博连读的给捞走了。”

许秋耸了耸肩,附和了一句:“是啊,我之前也以为我们是一奖呢……不过一奖、二奖也差不多,估计最多也就相差一两千块钱,洒洒水啦。”

“那倒也是,”孙一凡点点头,随口问道:“对了,许秋你有申请国奖嘛?我记得你本科文章好像发了不少吧。”

“嗯,申请了。”许秋回应道。他在孙一凡后面看了一会儿,游戏刚开局,双方都是30血,看不出什么来,、tem、sem等各种电镜进行观察,反正模拟实验室里电镜也不花钱,就索性全用上测一遍。

最终结果显示,旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的,而且还有一些已经断掉了的纳米线。

纳米线这种东西想要具有良好的导电性,必须要每根纳米线相互之间接触良好,形成一种类似于网格状的结构。

因此,现在这样的微观结构,导电率低下也就很容易理解了,可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。

为了试图解决这个问题,许秋浏览了一下小虫子网站。

发现其他人在旋涂银纳米线的时候,也出现过类似的问题,包括导电性差、稳定性差等,而且没有太好的解决方法。

于是,许秋又去查阅了一些文献,发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法,是刮涂、滴涂,以及“slot-die”的方法。

所谓“slot-die”的方法,有点像是刮涂的进阶版本,就是在基片上方一定高度处放一个窄槽,这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液,这些溶液会从窄槽中滴落,落到基片上成膜,因为是窄槽,所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候,让溶液在滴落的过程中,以一定的速率同步的移动窄槽,就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积,也即得到一层薄膜。

“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上,而“slot-die”是溶液在窄槽内,然后一点点的往出流,因此工艺难度很稍微高一些。

许秋的这番操作,其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤:

首先根据实验现象推断可能的原因;

然后用便宜的方法(万用表)初步确认原因;

再用贵的方法(各种电镜)确认原因,当然如果组里没钱的话,这一步可以省略;

接着,去小虫子看看其他人有没有类似的情况,他们是怎么解决的;

最后翻文献,找到解决或者替代的方法。

这些顺序也不是完全固定的,可以根据实际需要进行调整。

另外,之所以首先要去小虫子逛逛,是因为这里是关于科研的中文论坛,大佬们层出不穷,如果能精准的搜索到别人已经解决的问题,就会省下不少时间,类似于程序圈里用别人造好的轮子。

毕竟,检索sci论文花费的时间可不少,很多时候可能一个小时过去了,好不容易找到了几篇相关的文献,但最后发现都没什么用,解决不了问题。

当然,也不是每次经过这番操作,都能解决实验失败的问题。

就比如这次,许秋一顿操作猛如虎,最终得出结论,n a(计划a)扑街。

即基于实验室现有的设备,用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。

不过,许秋丝毫不慌。

因为他还有n b,所以他也懒得去优化银纳米线制
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