( ) 许秋将蚀刻失败的基片处理掉，开始思考失败的原因。
一方面可能是蚀刻时间过长；
另一方面可能是胶布与基片之间存在有气泡，或者它们的间隙过大。
再次实验。
许秋又取来三片en基片，用3m电工胶布贴好图案后，反复用镊子按压胶布的所在部位，使之与基片尽量贴合。
然后，他在三个新的一次性塑料杯中加入稀盐酸，并倒入两勺锌粉。
等待五秒钟后，他将三片基片各自放入一个塑料杯中，同时按下秒表。
每隔40秒钟，捞出一片基片，随后用去离子水冲洗干净，撕下上面贴有的3m电工胶布。
许秋通过肉眼观察，蚀刻时间为40秒、80秒的基片，均得到了完好的图案。
而蚀刻时间为120秒的基片，ito图案的边缘有被酸液腐蚀的痕迹，不过相较于上一次实验，痕迹变得不明显。
这说明将胶布与基片紧密贴合，对于防止酸液渗入胶布下面起到了一定的作用。
肉眼可能会骗人，为了确保蚀刻成功，许秋从工具箱中取出万用表，测量基片上被蚀刻部位的导通情况。
将万用表调至导通模式，如果两个红黑表笔之间的电阻很小，万用表就会发出“滴”的声音。
经过检测，三个基片被蚀刻部位都是不导通的，而ito本身是良好的导体，这表明裸露在外的ito成功被蚀刻。
因此，蚀刻时间为40秒和80秒的条件都是可行的。
许秋最终选择了一个中间值，蚀刻1分钟。
…………
摸索好实验条件后，许秋制备了12片图案化的en/ito基片。
虽然中途有一片因为胶布没有粘牢而失败了，但是不影响大局。
随后，他用异丙醇清洗基片，接着用氮气枪吹干，装入培养皿中。
接下来的旋涂操作，许秋又遇到了新的问题。
en基片无法被匀胶机上方的平台吸牢，在高速旋转的过程中，基片有时会直接飞出去。
许秋想了想，将en基片贴在了与之同等大小的玻璃片上，然后再进行旋涂。
顺利解决问题。
涂好edot:ss后，许秋将基片上的玻璃片取下，然后在100摄氏度下退火，擦片。
之后，他又重新在基片上贴好玻璃片，传入旋涂的手套箱内。
陈婉清看到后，好奇问道：“许秋，这是什么，玻璃片上贴着……en基片吗？”
“没错，我已经找到蚀刻en基片的方法了，湿法蚀刻，用3m胶布贴好，控制好时间就行了，”许秋道：
“下面贴一块玻璃是为了方便旋涂。”
“好呀，等下准备涂什么有效层啊？”陈婉清道。
“学姐给我点tb7-th的溶液用用呗，还有旋涂方法也告诉我吧。”许秋道。
“溶液在加热搅拌台上，应该还有500微升，足够你用了，”陈婉清道：
“实验条件的话，我等下写在便签纸上给你，现在快吃午饭了，等吃完饭回来再做实验吧。”
…………
下午，还不到一点钟，许秋便拿着学姐的便签纸，进入手套箱中。
没办法，旋涂的手套箱可是香饽饽，他怕到一点半的时候抢不到手套箱的使用权。
许秋看了一眼学姐的实验条件：
“氯苯溶剂，15毫克每毫升，给受体比例1:1，2000转速，0.5%体积分数的dio，不退火。”
可以直接拿来使用，只需要调控一下转速即可。
溶液在放置和使用过程
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